рис. 1.85Полевой транзистор является очень широко используемым активным (т. е. способным усиливать сигналы) полупроводниковым прибором. Впервые он был предложен в 1930 г.

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). В англоязычной литературе эти транзисторы называют транзисторами типа FET (Field Effect Transistor).

Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители.

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Для определенности вначале обратимся к так называемому полевому транзистору с управляющим p-n-переходом с каналом p-типа.

Устройство транзистора.

Дадим схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа. (рис. 1.85) и условное графическое обозначение этого транзистора (рис. 1.86, а). Стрелка указывает направление от слоя p к слою n (как и стрелка в изображении эмиттера биполярного транзистора). В интегральных микросхемах линейные размеры транзисторов могут быть меньше 1 мкм.

рис. 1.86

Удельное сопротивление слоя n (затвора) намного меньше удельного сопротивления слоя p (канала), поэтому область p-n-перехода, обедненная подвижными носителями заряда и имеющая очень большое удельное сопротивление, расположена главным образом в слое р.

Если типы проводимости слоев полупроводника в рассмотренном транзисторе изменить на противоположные, то получим полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа, его условное графическое обозначение представлено на рис. 1.86, б.

Основные физические процессы.

Подадим положительное напряжение между затвором и истоком транзистора с каналом p-типа: uзи > 0. Оно сместит p-n-переход в обратном направлении.

При увеличении обратного напряжения на p-n-переходе он расширяется в основном за счет канала (в силу указанного выше различия в удельных сопротивлениях). Увеличение ширины p-n-перехода уменьшает толщину канала и, следовательно, увеличивает его сопротивление. Это приводит к уменьшению тока между истоком и стоком. Именно это явление позволяет управлять током с помощью напряжения и соответствующего ему электрического поля. Если напряжение uзи достаточно велико и равно напряжению отсечки uзи отс, канал полностью перекрывается областью p-n-перехода.

В рабочем (не аварийном) режиме p-n-переход должен находиться под обратным или нулевым напряжением. Поэтому в рабочем режиме ток затвора примерно равен нулю (iз ~ 0), а ток стока iс примерно равен току истока iи

(iи = iс).

Важно учитывать, что на ширину p-n-перехода и толщину канала прямое влияние может оказывать напряжение между истоком и стоком uис.

Пусть uиз = 0 (между истоком и затвором включена закоротка) и подано положительное напряжение uис (рис. 1.87).

рис. 1.87

Это напряжение через закоротку окажется поданным на промежуток затвор — сток, т. е. окажется, что uиз = uис и что p-n-переход находится под обратным напряжением.

Обратное напряжение в различных областях p-n-перехода различно. В областях вблизи истока это напряжение практически равно нулю, а в областях вблизи стока это напряжение равно величине uис. Поэтому p-n-переход будет шире в тех областях, которые ближе к стоку. Обычно считают, что напряжение в канале от истока к стоку увеличивается линейно.

Можно утверждать, что при uис = uиз отс канал полностью перекроется вблизи стока. При дальнейшем увеличении напряжения uис та область канала, в которой он перекрыт, будет расширяться (рис. 1.88).

рис. 1.88


Рекомендуйте эту статью другим!



Линейные и фазные <a href=
дек 15, 2013 6142

Линейные и фазные напряжения

Под симметричной трехфазной системой принято понимать совокупность трех ЭДС…
Указательные реле 3
мая 27, 2016 1866

Указательные реле: конструкция, использование и модификации.

Реле является важным устройством, используемым для коммутации электроцепей по внешнему…
Монтаж заземляющих устройств 2
июнь 30, 2014 2491

Заземляющие устройства, правила монтажа, глубина залегания, нормы установки

Защитное заземление представляет собой соединение с землёй металлических элементов…
Переменное магнитное поле 1
авг 04, 2014 7637

Переменное магнитное поле

Магнитное поле всегда возникает вокруг движущихся электрических зарядов, или при…
янв 22, 2013 2575

Развития коммутационных аппаратов, сравнение основных типов, характеристики

Эффективность функционирования электрической установки в значительной степени…