Определение ОЗУ
Оперативные запоминающие устройства – (ОЗУ – их обозначают английской аббревиатурой RAM) подразделяются на статические и динамические. В статических ОЗУ запоминающая ячейка представляет собой триггер на биполярных или полевых транзисторах, что определяет потенциальный характер управляющих сигналов и возможность считывания информации без ее разрушения. В динамических ОЗУ элементом памяти является емкость (например, затвора полевого транзистора), что требует периодического восстановления (регенерации) записанной информации в процессе ее хранения.
Рассмотрим в качестве примера некоторые микросхемы ОЗУ (рис. 3.76).
Выводы микросхем имеют следующие назначения: CS — выбор микросхемы, Аi — адресные входы, DIi — информационные входы, DOi — информационные выходы, W/R — разрешение записи/считывания, RAS — строб адреса строки, CAS — строб адреса столбца, СЕ — сигнал разрешения.
Микросхемы ОЗУ
Микросхема К155РУ2 — это статическое ОЗУ с открытым коллекторным выходом — выполнена на основе ТТЛ-структур емкостью 64 бит. Имеет структуру 16×4, т. е. может хранить 16 слов длиной 4 разряда каждое.
Микросхема К537РУ8 — это статическое ОЗУ объемом 2 Кбайта, выполнена на основе структур КМОП, по входу и выходу совместима с ТТЛ-структурами. Имеет двунаправленную 8-разрядную шину данных, которая используется и для записи, и для считывания информации.
Микросхема К565РУ5 — это динамическое ОЗУ на основе n-МОП-структур, по входам и выходам совместима с ТТЛ-структурами, имеет организацию 64Кх1. Шина адреса работает в мультиплексном режиме.
Вначале на ней выставляются адреса строк, которые запоминаются во внутреннем регистре по спаду сигнала RAS. Затем выставляются адреса столбцов, которые запоминаются по спаду сигнала CAS.
