рис. 3.77Все постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) можно разделить на следующие группы:

● программируемые при изготовлении (обозначают как ПЗУ или ROM);

● с однократным программированием, позволяющим пользователю однократно изменить состояние матрицы памяти электрическим путем по заданной программе (обозначают как ППЗУ или PROM);

● перепрограммируемые (репрограммируемые), с возможностью многократного электрического перепрограммирования, с электрическим или ультрафиолетовым стиранием информации (обозначают как РПЗУ или RPROM).

Для обеспечения возможности объединения по выходу при наращивании памяти все ПЗУ имеют выходы с тремя состояниями или открытые коллекторные выходы.

В ППЗУ накопитель построен на запоминающих ячейках с плавкими перемычками, изготовленными из нихрома или других тугоплавких материалов. Процесс записи состоит в избирательном пережигании плавких перемычек.

В РПЗУ запоминающие ячейки строятся на основе МОП-технологий. Используются различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различными диэлектрическими средами или проводящей и диэлектрической средой.



В первом случае диэлектрик под затвором МОП-транзистора делают из двух слоев: нитрида кремния и двуокиси кремния (SiN4 — SiO2). Было обнаружено, что в сложной структуре SiN4 — SiO2 при изменении электрического напряжения возникает гистерезис заряда на границе раздела двух слоев, что и позволяет создавать запоминающие ячейки.

Во втором случае основой запоминающей ячейки является лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором (ЛИПЗ МОП). Упрощенная структура такого транзистора приведена на рис. 3.77.

рис. 3.77

В лавинно-инжекционном транзисторе с плавающим затвором при достаточно большом напряжении на стоке происходит обратимый лавинный пробой диэлектрика, и в область плавающего затвора инжектируются носители заряда. Поскольку плавающий затвор окружен диэлектриком, то ток утечки мал и хранение информации обеспечивается в течение длительного промежутка времени (десятки лет). При подаче напряжения на основной затвор происходит рассасывание заряда за счет туннельного эффекта, т. е. стирание информации.

Приведем некоторые характеристики ПЗУ (табл. 3.1).

табл. 3.1

Промышленность выпускает большое количество микросхем ПЗУ. Приведем в качестве примера две микросхемы ПЗУ (рис. 3.78).

рис. 3.78

На схемах использованы следующие обозначения: Ai — адресные входы; Di — информационные выходы; CS — выбор микросхемы; СЕ — разрешение выхода.

Микросхема К573РФ5 — это репрограммируемое ПЗУ (РПЗУ) с ультрафиолетовым стиранием, имеющее структуру 2Кх8. По входу и выходу эта микросхема совместима с ТТЛ-структурами. Микросхема К556РТ5  — это однократно программируемая ПЗУ, выполнена на основе ТТЛШ-структур, по входу и выходу совместима с ТТЛ-структурами, имеющая структуру 512бит х8.


Рекомендуйте эту статью другим!



Деревянные опоры для ЛЭП 3
мая 17, 2016 1334

Деревянные опоры для ЛЭП, достоинства, недостатки, применение

Для линий электропередач с высоким рабочим напряжением чаще всего используются опоры из…
puskat 1
авг 28, 2017 511

Магнитный пускатель с тепловым реле и кнопками управления, схема, принцип действия

Магнитный пускатель наиболее часто используется для управления электродвигателями. Хотя…
дек 05, 2012 6098

Электрические сети до 1 кВ, назначение, требования к ним

Электрические сети напряжением до 1 кВ формируют системы внутреннего электроснабжения…
дек 24, 2012 12243

Выбор трансформаторов для цеховых подстанций до 2500кВА, формулы, примеры

Целью выбора трансформаторов ЗУР является определение их количества, вида (типа,…
рис. 3.92
март 09, 2017 1550

Аналого-цифровые преобразователи. Назначение, устройство, применение.

Аналого-цифровые преобразователи (АЦП) — это устройства, предназначенные для…