h-параметры транзистора


рис. 1.81При определении переменных составляющих токов и напряжений (т. е. при анализе на переменном токе) и при условии, что транзистор работает в активном режиме, его часто представляют в виде линейного четырехполюсника (рис. 1.81). В четырехполюснике условно изображен транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером.

Для разных схем включения транзистора токи и напряжения этого-четырехполюсника обозначают различные токи и напряжения транзистора. Например, для схемы с общим эмиттером эти токи и напряжения следующие:

i1 — переменная составляющая тока базы; u1— переменная составляющая напряжения между базой и эмиттером;

i2 — переменная составляющая тока коллектора; u2— переменная составляющая напряжения между коллектором и эмиттером.

Транзистор удобно описывать, используя так называемые h-параметры. При этом Формула 1

т. е. u1=h11·i1+h12·u2i1=h21·i1+h22·u2

Коэффициенты hij определяют опытным путем. Например, h11 определяют, устанавливая u2 = 0 (режим короткого замыкания на выходе). При этом h11=u1/i1|u2= 0h22=i2/u2|i1= 0


Как легко заметить, коэффициент h11 представляет собой входное сопротивление транзистора для переменного сигнала.

Аналогично h12=u1/u2|i1= 0h12 — коэффициент обратной связи по напряжению.

Режим работы при i1 = 0 называют холостым ходом на входе.

Далее h21=i2/i1|u2= 0h21 — коэффициент передачи тока.

Параметры, соответствующие схеме с общим эмиттером, обозначают буквой «э», а схеме с общей базой — буквой «б».

Можно показать, что h11э≈ rб+ (1 +β) · rэh12э≈ rэ/ (2 · r′к)h21≈βh22≈ 1/r′к

Для создания математической модели транзистора полный набор h-параметров часто не требуется.



Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: