Математические модели полевого транзистора


рис. 1.94Рассмотрим две математические модели полевого транзистора.

Универсальная модель полевого транзистора.

Опишем с некоторыми несущественными упрощениями модель, использующуюся в пакете программ Micro-Cap II.

Приведем эквивалентную схему транзистора (рис. 1.94), где обозначено:

  • rи и rс — соответственно объемные сопротивления истока и стока (это малые величины);
  • iy— источник тока, управляемый напряжениями.

Приведем выражения, описывающие управляемый источник и полученные на основе анализа физических процессов:

  • для области отсечки iy= 0 приuзи>uзи отс;
  • для линейной области при 0 < uис < uзи отс – uзи iy=β· [ (uзи отс–uзи) · uис – ½ · uис2 ] где β — так называемая удельная крутизна;
  • для области насыщения при uзи отс – uзи < uисiy= ½ ·β· (uзи отс–uзи) 2

Продифференцируем последнее выражение по uзи:diи/duзи =S=β· (uзи отс–uзи) Отсюда следует, что при u зи отс – uзи = 1 В · β = S, что и объясняет название — удельная крутизна (но следует учитывать, что размерность β — А/В2 или мА/В2).

В соответствии с приведенными выражениями точки выходных характеристик, соответствующие началу режима насыщения, должны лежать на параболе, которая описывается следующим образом. На границе режима насыщения выполняется условие:


u зи отс– uзи = uис. Из выражений для тока iy как в линейной области, так и в области насыщения получим:iс=iy= ½ ·β· uис2

Дадим графическую иллюстрацию (рис. 1.95). рис. 1.95

Для реальных транзисторов такое разграничение линейной области и области насыщения имеет место не всегда (отрицательный пример — транзистор КП10ЗЛ).

С учетом сделанного замечания транзистор КП10ЗЛ в первом приближении можно описать приведенными выражениями при β ~ 1,1 мА/В2.

Упрощенная эквивалентная схема для переменных составляющих сигналов.

Васильев Дмитрий Петрович
Васильев Дмитрий Петрович
Профессор электротехники СПбГПУ
Задать вопрос
Для учебных целей, а также имея в виду простые приближенные расчеты, рассмотрим эквивалентную схему, которую можно использовать, если известно, что транзистор работает в режиме насыщения (которому соответствует область насыщения), и если амплитуда и частота сигнала достаточно малы (рис. 1.96). Знаком «~» отмечено, что используются переменные составляющие сигналов.

рис. 1.96

Знак «минус» в выражении – S · uзи отражает тот факт, что при увеличении напряжения между затвором и истоком ток стока уменьшается.


Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Все об энергетике, электротехнике и электронике
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: