Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. Дадим схематическое изображение структуры фоторезистора (рис. 1.124, а) и его условное графическое обозначение (рис. 1.124, б).
Поток излучения
Поток фотонов, падающих на полупроводник, вызывает появление пар электрон-дырка, увеличивающих проводимость (уменьшающих сопротивление). Это явление называют внутренним фотоэффектом (эффектом фотопроводимости).
Фоторезисторы часто характеризуются зависимостью тока i от освещенности E при заданном напряжении на резисторе. Это так называемая люкс-амперная характеристика.
Изобразим такую характеристику для фоторезистора типа ФСК-Г7, который работает в видимой части спектра (рис. 1.125). 
Часто используют следующие параметры фоторезисторов:
- номинальное темновое (при отсутствии светового потока) сопротивление (для ФСК-Г7 это сопротивление равно 5 МОм);
- интегральную чувствительность (чувствительность называют интегральной, так как ее определяют при освещении фоторезистора светом сложного спектрального состава).
Интегральная чувствительность
(токовая чувствительность к световому потоку) S определяется выражением S=iф / Ф где iф — так называемый фототок (это разность между током при освещении и током при отсутствии освещения);
Ф — световой поток.
Для фоторезистора ФСК-Г7 S = 0,7 А/лм.
